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| 位置：门别网 › 卖家论坛 › 卖家圈子 › 帖子 |
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jacki1002 等级： / 门别币：20 |
| 发表：2018-7-10 14:31:39 查看：1625 回复：2 次 | |
常见的MOS管损坏详解 |
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*栅极电涌，静电破坏
在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端而导致的栅极破坏。
*发热损坏
期间正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。由于热量不相配或者快关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致击穿破坏。
发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加质量功率而导致的损耗引起的发热
1. 导通电阻RDS（on）损耗，即高温时RDS（on）增大，导致一定电流下，功率增加。
2. 漏电流IDSS引起的损耗，和其他损耗相对极小
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
1.负载短路
2.开关损耗
3.内置二级挂你的TRR损坏
*雪崩破坏
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS 的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
*内置二极管破坏
在DS 端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOS 的寄生双极晶体管运行，导致二极管破坏。
业务联系
公司负责人：林志雄 电话：020-83324498，如需购买三极管;MOS场效应管;肖特基二极管;快恢复二极管;整流桥堆，请联系我们广州市奥德利电子科技有限公司
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快了年华 等级： / 门别币：123第1楼 |
*栅极电涌，静电破坏
在栅极和源极之间如
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admin 等级： / 门别币：3322第2楼 |
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